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強光防暴配资盘設計原理

来源:  發布時間:2018-03-07   點擊量:330

強光防暴配资盘設計原理

LED發光原理

發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半導體制成的,其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性,即正向導通,反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發光特性。在正向電壓下,電子由N區注入P區,空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子(少子)一部分與多數載流子(多子)複合而發光,如圖1所示。

假設發光是在P區中發生的,那麼注入的電子與价帶空穴直接複合而發光,或者先被發光中心捕獲後,再與空穴複合發光。除了这種發光複合外,還有些電子被非發光中心(这個中心介于導帶、介帶中間附近)捕獲,而後再與空穴複合,每次釋放的能量不大,不能形成可見光。發光的複合量相對于非發光複合量的比例越大,光量子效率越高。由于複合是在少子擴散區内發光的,所以光僅在靠近PN結面數μm以内産生。

理論和實踐證明,光的峰值波長λ與發光區域的半導體材料禁帶寬度Eg有關,即

λ≈1240/Eg(mm)

式中Eg的單位为電子伏特(eV)。若能産生可見光(波長在380nm紫光~780nm紅光),半導體材料的Eg應在3.26~1.63eV之間。比紅光波長長的光为紅外光。現在已有紅外、紅、黃、綠及藍光發光二極管,但其中藍光二極管成本、价格很高,使用不普遍。

LED的特性

1.極限參數的意義

(1)允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的最大值。超過此值,LED發熱、損壞。

(2)最大正向直流電流IFm:允許加的最大的正向直流電流。超過此值可損壞二極管。 ??

(3)最大反向電壓VRm:所允許加的最大反向電壓。超過此值,發光二極管可能被擊穿損壞。? ?

(4)工作環境topm:發光二極管可正常工作的環境溫度範圍。低于或高于此溫度範圍,發光二極管将不能正常工作,效率大大降低。

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